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MEMS压力传感器综合性能分析
来源:赛斯维传感器网 发表于 2012/8/25

  MEMS压力传感器是基于 MEMS(微机电)技术,建立在微米/纳米基础上,在单晶硅片上刻融制作惠斯登电桥组成的硅应变计,这样制造的压力传感器具有输出灵敏度高,性能稳定,批量可靠性、重复性好等优点。下面从传感器的制作工艺、结构两方面分析一下MEMS压力传感器综合性能。

  先进的制作工艺

  经500℃以上高温熔化玻璃,将硅应变片烧结在17-4PH不锈钢传感弹性体上,弹性体受压变形后产生电信号,由带微处理器的数字补偿放大电路进行放大,经数字软件进行全智能温度补偿,输出标准信号。在标准净化生产过程中,参数严格受控,避免了温度、湿度及机械疲劳的影响,具有频响高、工作温度宽等特点,保证了传感器在工业恶劣环境中使用的长期稳定性。

  智能数字温度补偿电路将温度变化划分为若干小区间,每一个小区间的零位和补偿值都被分别写入补偿电路中,在使用中,这些值被写入受温度影响的模拟量输出路径中,每一个温度点都是该变送器的“校准温度”。

  传感器数字电路针对射频、电磁干扰、浪涌电压的工况进行精心设计,具有抗干扰能力强,供电范围宽、极性保护等特点。

  可靠的结构

  压力腔体采用进口17-4PH不锈钢整体加工,无"O"型圈、无焊缝,无泄漏隐患。传感器过载能力为200%FS,破坏压力为500%FS,适应高压力过载。针对液压系统可能产生的瞬间压力突变,传感器内置阻尼保护装置,能有效抵御瞬间压力冲击。

  因此,MEMS压力传感器具有输出灵敏度高、性能稳定、体积小巧、环境适应性强、重复性好等综合性能,这也是它广泛应用于各领域的基本原因。

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