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CMOS图像传感器的发展走向
来源:赛斯维传感器网 发表于 2013/8/5

  CMOS图像传感器能够快速发展,一是基于XMOS技术的成熟,二是得益于固体图像传感器技术的研究成果。进入20世纪90年代,关于CMOS图像传感器的研究工作开始活跃起来。苏格兰爱丁堡大学和瑞典Linkoping大学的研究人员分别进行了低成本的单芯片成像系统开发,美国喷气推进实验室研究开发了高性能成像系统,其目标是满足NASA对高度小型化、低功耗成像系统的需要。他们在CMOS图像传感器研究方面取得了令人满意的结果,并推动了CMOS图像传感器的快速发展。

  当前研究开发CMOS图像传感器的机构很多,其中,以美国喷气推进实验室空间微电子技术中心的研究报道最多。很多研究机构主要在开发CMOSAPS,已在传感器阵列上集成了模/数转换器。目前,人们主要致力于提高CMOS图像传感器尤其是CMOSAPS的综合性能,缩小单元尺寸,调整CMOS工艺参数,将时钟和控制电路、信号处理电路、模/数转换器、图像压缩等电路与传感器阵列完全集成在一起,并制作滤色片和微透镜阵列,以期实现低成本、低功耗、高度集成的单芯片成像微系统。

  CMOS图像传感器相对于CCD的优点使前者得到迅速发展,在工业技术、民用视频技术中得到广泛应用。尽管它还存在电离环境下暗电流稍大、高分辨率、高性能器件行待近一步发展等问题,但相信这些问题能够得以解决,使其在空间技术的相应领域中成为CCD的替代者。CMOS图像传感器采用标准CMOS半导体生产工艺,继承了CMOS技术的优点.如静态功耗极低,动态功耗与工作频率成比例.噪声容限大,抗干扰能力很强,特别适用于噪声环境恶劣条件下工作,工作速度较快,只需要单一电源上作等。以上比较不难看出CMOS图像传感器在未来将会有更大的发展空间。

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