单晶硅基于 MEMS（微机电）技术的压力传感器，它是建立在微米/纳米基础上，在单晶硅片上刻融制作惠斯登电桥（Wheatstone bridge）组成的硅应变计，经500℃以上高温熔化玻璃，将硅应变片烧结在17－4PH不锈钢传感弹性体上，弹性体受压变形后产生电信号，由带微处理器的数字补偿放大电路进行放大，经数字软件进行全智能温度补偿，输出标准信号。在标准净化生产过程中，参数严格受控，避免了温度、湿度及机械疲劳的影响，具有频响高、工作温度宽等特点，保证了传感器在工业恶劣环境中使用的长期稳定性。

　　压电压力传感器原理

　　压电压力传感器中主要使用的压电材料包括有石英、酒石酸钾钠和磷酸二氢胺。其中石英（二氧化硅）是一种天然晶体，压电效应就是在这种晶体中发现的，在一定的温度范围之内，压电性质一直存在，但温度超过这个范围之后，压电性质完全消失（这个高温就是所谓的“居里点”）。

　　压电效应是压电传感器的主要工作原理，压电传感器不能用于静态测量，因为经过外力作用后的电荷，只有在回路具有无限大的输入阻抗时才得到保存。实际的情况不是这样的，所以这决定了压电传感器只能够测量动态的应力。

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