美国乔治亚理工学院的科学家成功地将多孔硅（Porous Silicon）与绝缘体上硅（Silicon-on-insulator）集成，并在此基础上实现了微米尺寸大小、探测灵敏度提高6倍的光学传感器。绝缘体上硅是硅基光电子领域常用的材料体系，在研发小尺寸、高性能、低成本的光电器件中起着十分关键的作用。

　　此次多孔硅与绝缘体上硅的成功集成极大地提高原有材料平台的表面积，能够吸附更多的待测样本分子，从而极大地提高了微型集成光电传感器的性能。该研究工作由美国国防高级计划署资助。

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